文献
J-GLOBAL ID:200902141749136663
整理番号:98A0038453
有機金属化学気相成長法による低抵抗率P型GaNの成長
Growth of low resistivity p-type GaN by metal organic chemical vapour deposition.
著者 (3件):
EITING C J
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
GRUDOWSKI P A
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
DUPUIS R D
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
33
号:
23
ページ:
1987-1989
発行年:
1997年11月06日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)