文献
J-GLOBAL ID:200902141750453087
整理番号:93A0596202
分子線エピタクシーで成長させたGaAs層中の,自由-束縛および束縛-束縛遷移に関係したフォノン結合
Phonon coupling associated with free-to-bound and bound-to-bound transitions in GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy.
著者 (4件):
REYNOLDS D C
(Wright State Univ., Ohio)
,
TALWAR D N
(Wright Lab., Ohio)
,
MANASREH M O
(Wright Lab., Ohio)
,
STUTZ C E
(Wright Lab., Ohio)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
47
号:
20
ページ:
13304-13308
発行年:
1993年05月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)