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文献
J-GLOBAL ID：200902141816985743
整理番号：97A0572034
窒素プロファイル技術による極めて薄いゲート誘電膜
Ultrathin nitrogen-profile engineered gate dielectric films.
HATTANGADY S V
(Texas Instruments, Inc., TX)
,
KRAFT R
(Texas Instruments, Inc., TX)
,
GRIDER D T
(Texas Instruments, Inc., TX)
,
DOUGLAS M A
(Texas Instruments, Inc., TX)
,
BROWN G A
(Texas Instruments, Inc., TX)
,
TINER P A
(Texas Instruments, Inc., TX)
,
KUEHNE J W
(Texas Instruments, Inc., TX)
,
NICOLLIAN P E
(Texas Instruments, Inc., TX)
,
PAS M F
(Texas Instruments, Inc., TX)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1996 ページ： 495-498 発行年： 1996年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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