文献
J-GLOBAL ID:200902141843726113
整理番号:97A0788026
有機金属化学蒸着によって成長させた極めて高い特性温度(T0=385K)を持ったInGaAs/GaAs量子ドットレーザ
InGaAs/GaAs Quantum Dot Lasers with Ultrahigh Characteristic Temperature (T0=385 K) Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition.
著者 (9件):
MAXIMOV M V
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
KOCHNEV I V
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SHERNYAKOV YU M
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ZAITSEF S V
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
GORDEEV N YU
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
BIMBERG D
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
KOSOGOV A O
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
,
WERNER P
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
,
GOESELE U
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
6B
ページ:
4221-4223
発行年:
1997年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)