文献
J-GLOBAL ID:200902141855269621
整理番号:99A0497748
極めて小さい半導体素子における単一電子効果の利点と欠点
Merits and Demerits of Single Electron Effects in Ultrasmall Semiconductor Devices.
著者 (2件):
OHATA A
(Inst. Physics and Chemical Res., Saitama, JPN)
,
TORIUMI A
(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
38
号:
4B
ページ:
2473-2476
発行年:
1999年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)