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文献
J-GLOBAL ID：200902141869273311
整理番号：00A0721452
SILC(ストレス誘起リーク電流)に基づいた電子および正孔トンネリングのモデル 第1部:過渡的効果
Modeling of SILC Based on Electron and Hole Tunneling-Part I: Transient Effects.
IELMINI D
(Politecnico di Milano, Milan, ITA)
,
SPINELLI A S
(Univ. Insubria, Como, ITA)
,
RIGAMONTI M A
(Politecnico di Milano, Milan, ITA)
,
LACAITA A L
(Politecnico di Milano, Milan, ITA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 6 ページ： 1258-1265 発行年： 2000年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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