文献
J-GLOBAL ID:200902141888144891
整理番号:96A0622158
AlxGa1-xAs:Sn/GaAs変調ドープヘテロ構造の負性光伝導率
Negative photoconductivity of AlxGa1-xAs:Sn/GaAs modulation-doped heterostructures.
著者 (3件):
PENG Z
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
SAKU T
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
HORIKOSHI Y
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
145
ページ:
517-522
発行年:
1996年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)