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文献
J-GLOBAL ID：200902141902408600
整理番号：98A0254740
WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGaP/GaAsHBT
InGaP/GaAs HBT’s Fabricated Using WSi/Ti as the Base Electrode and Burying SiO2 in the Extrinsic Collector.
岡徹
(日立 中研)
,
平田宏治
(日立超LSIエンジニアリング)
,
大内潔
(日立 中研)
,
内山博幸
(日立 中研)
,
望月和浩
(日立 中研)
,
中村徹
(日立 中研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 97 号： 475(ED97 188-195) ページ： 9-14 発行年： 1998年01月22日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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