文献
J-GLOBAL ID:200902141907082630
整理番号:98A0875993
水素終端Si(100)-2×1表面で作製されたダングリングボンド構造の電子構造
Electronic Structures of Dangling-Bond Structures Fabricated on Hydrogen-Terminated Si(100)-2×1 Surfaces.
著者 (8件):
HITOSUGI T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HASHIZUME T
(Hitachi Ltd., Saitama, JPN)
,
HEIKE S
(Hitachi Ltd., Saitama, JPN)
,
KAJIYAMA H
(Hitachi Ltd., Saitama, JPN)
,
WADA Y
(Hitachi Ltd., Saitama, JPN)
,
WATANABE S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HASEGAWA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KITAZAWA K
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Defect and Diffusion Forum
(Defect and Diffusion Forum)
巻:
162/163
ページ:
43-57
発行年:
1998年
JST資料番号:
D0958B
ISSN:
1012-0386
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)