文献
J-GLOBAL ID:200902141919650324
整理番号:93A0597470
金属および半導体表面上のイオン性絶縁体の電子的性質 Si(100),W(110)上のRbCl
Electronic properties of ionic insulators on metal and semiconductor surfaces: RbCl on Si(100) and W(110).
著者 (5件):
SOUDA R
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
HAYAMI W
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
AIZAWA T
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
OTANI S
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
ISHIZAWA Y
(National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
11
号:
3
ページ:
535-538
発行年:
1993年05月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)