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文献
J-GLOBAL ID：200902141953671675
整理番号：99A0098837
新しいフローティング・チャネル技術によるSOI構造の“超高電圧集積化”
“Very High Voltage Integration” in SOI Based on a New Floating Channel Technology.
PLIKAT R
(Univ. Bremen, Bremen)
,
SILBER D
(Univ. Bremen, Bremen)
,
WONDRAK W
(Daimler Benz AG, Frankfurt/Main)
資料名：
Proceedings. IEEE International SOI Conference
(Proceedings. IEEE International SOI Conference)
巻： 1998 ページ： 59-60 発行年： 1998年
JST資料番号： W0784A ISSN： 1078-621X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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