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文献
J-GLOBAL ID：200902142006850759
整理番号：96A0473760
Siシャドーマスクを用いる平面内膜厚制御MOVPEで成長させた1.3μmビームエキスパンダ集積化レーザダイオードの広い温度範囲での動作
Wide-Temperature-Range Operation of 1.3-μm Beam Expander-Integrated Laser Diodes Grown by In-Plane Thickness Control MOVPE Using a Silicon Shadow Mask.
KOMORI M M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SATO H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHTOSHI T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
UOMI K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TSUJI S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 8 号： 4 ページ： 479-481 発行年： 1996年04月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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