前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902142065073928
整理番号：02A0628233
原子層蒸着法で成長させたSi(100)上のHfO2の熱安定性と構造特性
Thermal stability and structural characteristics of HfO2 films on Si (100) grown by atomic-layer deposition.
CHO M-H
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
ROH Y S
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
WHANG C N
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
JEONG K
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
NAHM S W
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KO D-H
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
LEE J H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
LEE N I
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
FUJIHARA K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 3 ページ： 472-474 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。