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文献
J-GLOBAL ID：200902142155937050
整理番号：98A0750659
GaN上のZnOのヘテロエピタクシーとその混成オプトエレクトロニクス素子作製に対する関連性
Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices.
VISPUTE R D
(Univ. Maryland, Maryland)
,
TALYANSKY V
(Univ. Maryland, Maryland)
,
CHOOPUN S
(Univ. Maryland, Maryland)
,
HE M
(Howard Univ., Washington, District of Columbia)
,
TANG X
(Howard Univ., Washington, District of Columbia)
,
HALPERN J B
(Howard Univ., Washington, District of Columbia)
,
LI Y X
(Univ. Maryland, Maryland)
,
ILIADIS A A
(Univ. Maryland, Maryland)
,
JONES K A
(U.S. Army Res. Lab., Maryland)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 3 ページ： 348-350 発行年： 1998年07月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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