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文献
J-GLOBAL ID：200902142158937965
整理番号：94A0801329
(0001),(<span style=text-decoration:overline>1</span>012)及び(10<span style=text-decoration:overline>1</span>0)サファイア表面上における窒化ガリウムのヘテロエピタクシー
Heteroepitaxy of gallium nitride on (0001), (<span style=text-decoration:overline>1</span>012) and (10<span style=text-decoration:overline>1</span>10) sapphire surfaces.
HWANG J S
(Korea Research Inst. Chemical Technology, Taejon, KOR)
,
KUZNETSOV A V
(Inst. Crystallography, Russian Academy of Sciences, Moscow, SUN)
,
LEE S S
(Korea Research Inst. Chemical Technology, Taejon, KOR)
,
KIM H S
(Korea Research Inst. Chemical Technology, Taejon, KOR)
,
CHOI J G
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
CHONG P J
(Korea Research Inst. Chemical Technology, Taejon, KOR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 142 号： 1/2 ページ： 5-14 発行年： 1994年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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