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文献
J-GLOBAL ID：200902142159291910
整理番号：97A0069943
ガスに敏感な半導性Ga2O3薄膜の電気ドーピング
Electrical doping of gas-sensitive, semiconducting Ga2O3 thin films.
FRANK J
(Siemens AG, Munich, DEU)
,
FLEISCHER M
(Siemens AG, Munich, DEU)
,
MEIXNER H
(Siemens AG, Munich, DEU)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 34 号： 1/3 ページ： 373-377 発行年： 1996年08月
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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