文献
J-GLOBAL ID:200902142179601363
整理番号:00A0164300
Laplace DLTSによるシリコン中の空孔-水素センターのデープレベル
Deep levels of vacancy-hydrogen centers in silicon studied by Laplace DLTS.
著者 (6件):
NIELSEN K B
(Univ. Aarhus, Aarhus, DNK)
,
DOBACZEWSKI L
(Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
GOSCINSKI K
(Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
BENDESEN R
(Univ. Aarhus, Aarhus, DNK)
,
ANDERSEN O
(Univ. Aarhus, Aarhus, DNK)
,
NIELSEN B B
(Univ. Aarhus, Aarhus, DNK)
資料名:
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻:
273/274
ページ:
167-170
発行年:
1999年12月
JST資料番号:
H0676B
ISSN:
0921-4526
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)