文献
J-GLOBAL ID:200902142200614047
整理番号:93A0331167
原子再配置によるボンディング技術を用いたSi基板半導体レーザ
Semiconductor lasers on Si substrates using the technology of bonding by atomic rearrangement.
著者 (5件):
LO Y H
(Cornell Univ., New York)
,
BHAT R
(Bell Communications Research (Bellcore), New Jersey)
,
HWANG D M
(Bell Communications Research (Bellcore), New Jersey)
,
CHUA C
(Cornell Univ., New York)
,
LIN C-H
(Cornell Univ., New York)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
10
ページ:
1038-1040
発行年:
1993年03月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)