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文献
J-GLOBAL ID：200902142237186940
整理番号：96A0855807
InGaN/AlGaN/GaN二重ヘテロ構造青色発光ダイオードにおける電流とエレクトロルミネセンスの低温研究
Low-temperature study of current and electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN double-heterostructure blue light-emitting diodes.
PERLIN P
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
OSINSKI M
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
ELISEEV P G
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
SMAGLEY V A
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
MU J
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
BANAS M
(Univ. New Mexico, New Mexico)
,
SARTORI P
(Univ. New Mexico, New Mexico)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 12 ページ： 1680-1682 発行年： 1996年09月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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