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文献
J-GLOBAL ID：200902142289434004
整理番号：02A0123758
酸化誘起積層欠陥リング近傍の微小酸素析出物の観察とそれらの薄いゲート酸化膜破壊に及ぼす影響
Observation of Micro-Oxygen Precipitates in the Vicinity of the Oxidation-Induced Stacking Fault Ring and Their Effects on Thin Gate Oxide Breakdown.
KIM H-S
(LG Siltron Inc., Kyungbuk, KOR)
,
LEE K-S
(LG Siltron Inc., Kyungbuk, KOR)
,
LEE B-Y
(LG Siltron Inc., Kyungbuk, KOR)
,
YOO H-D
(LG Siltron Inc., Kyungbuk, KOR)
,
PYI S-H
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki, KOR)
,
KOH C-G
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki, KOR)
,
HONG B-S
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki, KOR)
,
KIM Y-W
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 12A ページ： L1286-L1289 発行年： 2001年12月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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