文献
J-GLOBAL ID:200902142341642265
整理番号:93A0828836
イオンインプランテーションMOS構造における少数キャリア生成レートを決定するための改良型C(t)手法
Improved C(t) method for generation rate determination in implanted MOS structures.
著者 (1件):
SORGE R
(Inst. Halbleiterphysik GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
29
号:
17
ページ:
1541-1543
発行年:
1993年08月19日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)