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文献
J-GLOBAL ID：200902142538605671
整理番号：01A0565056
Si(111)面上のInGaN/GaN多重量子井戸ダイオードからの明るい青色エレクトロルミネセンス AlGaN/GaN多重層の影響
Bright blue electroluminescence from an InGaN/GaN multiquantum-well diode on Si(111): Impact of an AlGaN/GaN multilayer.
DADGAR A
(Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
CHRISTEN J
(Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
RIEMANN T
(Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
RICHTER S
(Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
BLAESING J
(Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
DIEZ A
(Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
KROST A
(Otto-von Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU)
,
ALAM A
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
,
HEUKEN M
(AIXTRON AG, Aachen, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 78 号： 15 ページ： 2211-2213 発行年： 2001年04月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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