文献
J-GLOBAL ID:200902142539574257
整理番号:98A0562321
4H-SiCにおけるアバランシェ降伏と衝突イオン化の研究
Study of Avalanche Breakdown and Impact Ionization in 4H Silicon Carbide.
著者 (4件):
KONSTANTINOV A O
(ABB Corporate Res., Kista, SWE)
,
WAHAB Q
(ABB Corporate Res., Linkoeping, SWE)
,
NORDELL N
(Industrial Microelectronics Center, Kista, SWE)
,
LINDEFELT U
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
27
号:
4
ページ:
335-341
発行年:
1998年04月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)