文献
J-GLOBAL ID:200902142559108414
整理番号:93A0459268
ひ素とりんを注入したシリコン素子における結晶欠陥の発生機構
Generation mechanisms of crystal defects in arsenic and phosphorus implanted silicon devices.
著者 (4件):
TSAI H L
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
HEMMING S M
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
EKLUND R H
(Texas Instruments Inc., Texas)
,
HOSACK H H
(Texas Instruments Inc., Texas)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
17
ページ:
2090-2092
発行年:
1993年04月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)