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文献
J-GLOBAL ID：200902142621210123
整理番号：97A0287198
Si3N4-ゲートpH-ISFETsの特性に及ぼす二つの型の表面部位の効果
Effect of two types of surface sites on the characteristics of Si3N4-gate pH-ISFETs.
NIU M-N
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
,
DING X-F
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
,
TONG Q-Y
(Southeast Univ., Nanjing, CHN)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 37 号： 1/2 ページ： 13-17 発行年： 1996年11月
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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