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文献
J-GLOBAL ID：200902142662628043
整理番号：97A0503630
シングルイオン照射によるSi/SiO2界面捕獲電荷生成過程の解明 (4)
Investigation of generation process of interface trapped charges induced by a single He ion. (4).
五十嵐海
(早稲田大 理工)
,
KOH M
(早稲田大 理工)
,
杉本隆昭
(早稲田大 理工)
,
松川貴
(早稲田大 理工)
,
森茂貴
(早稲田大 理工)
,
有村拓也
(早稲田大 理工)
,
大泊巌
(早稲田大 理工)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 44th 号： 2 ページ： 695 発行年： 1997年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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