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文献
J-GLOBAL ID：200902142799829089
整理番号：98A0684900
シリコン(111)上の非意図的ドーピングけい化鉄薄膜の輸送特性
Transport properties of unintentionally doped iron silicide thin films on silicon(111).
MURET P
(Lab. Etudes des Propri<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>s Electroniques des Solides, C.N.R.S., Grenoble, FRA)
,
ALI I
(Lab. Etudes des Propri<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>s Electroniques des Solides, C.N.R.S., Grenoble, FRA)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 16 号： 3 ページ： 1663-1666 発行年： 1998年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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