文献
J-GLOBAL ID:200902142860604494
整理番号:01A0743487
分子ビームエピタクシーにより成長させた1.55μmのレーザのためのInGaAsNSb/GaAsの量子井戸
InGaAsNSb/GaAs quantum wells for 1.55μm lasers grown by molecular-beam epitaxy.
著者 (4件):
YANG X
(Columbia Univ., New York)
,
HEROUX J B
(Columbia Univ., New York)
,
MEI L F
(Columbia Univ., New York)
,
WANG W I
(Columbia Univ., New York)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
78
号:
26
ページ:
4068-4070
発行年:
2001年06月25日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)