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文献
J-GLOBAL ID：200902142969878942
整理番号：99A0419809
ゲートエッチング後の非常に薄いSiO2下のSi基板の構造損傷の低エネルギーイオン散乱分光学による解析
Low-energy Ion-scattering Spectroscopic Analysis of Structural Damage in Si Substrate under Ultrathin SiO2 after Gate Etching.
MATSUI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
UCHIDA F
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TOKUNAGA T
(Hitachi Device Dev. Center, Tokyo, JPN)
,
ENOMOTO H
(Hitachi Device Dev. Center, Tokyo, JPN)
,
UMEZAWA T
(Hitachi Device Dev. Center, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 4A ページ： 2124-2130 発行年： 1999年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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