文献
J-GLOBAL ID:200902143158169603
整理番号:95A0789692
100K以上の温度におけるシリコン量子ドットトランジスタの量子効果とCoulombプロッケードの観察
Observation of quantum effects and Coulomb blockade in silicon quantum-dot transistors at temperatures over 100K.
著者 (4件):
LEOBANDUNG E
(Univ. Minnesota, Minnesota)
,
GUO L
(Univ. Minnesota, Minnesota)
,
WANG Y
(Univ. Minnesota, Minnesota)
,
CHOU S Y
(Univ. Minnesota, Minnesota)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
67
号:
7
ページ:
938-940
発行年:
1995年08月14日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)