文献
J-GLOBAL ID:200902143251117087
整理番号:93A0977174
ラッチアップ特性を改善するためのデュアルPウェルイオン注入によるSOI LIGBT
SOI LIGBT Devices with a Dual P-Well Implant for Improved Latching Characteristics.
著者 (2件):
DISNEY D R
(Stanford Univ., CA)
,
PLUMMER J D
(Stanford Univ., CA)
資料名:
Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993
(Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993)
ページ:
254-258
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930580
ISBN:
0-7803-1314-3
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)