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文献
J-GLOBAL ID：200902143338189874
整理番号：02A0108962
昇華閉空間技術による炭化けい素の結晶成長におけるTaの効果
Effect of Tantalum in Crystal Growth of Silicon Carbide by Sublimation Close Space Technique.
FURUSHO T
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
LILOV S K
(Univ. Sofia, Sofia, BGR)
,
OHSHIMA S
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
NISHINO S
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 12 ページ： 6737-6740 発行年： 2001年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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