文献
J-GLOBAL ID:200902143439336819
整理番号:96A0654666
a-Si:H/a-Ge:H多層の量子井戸におけるサブバンドの広がりの意味
Implication of subband broadening in the quantum well of a-Si:H/a-Ge:H multilayers.
著者 (5件):
OHMURA M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
DEKI H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
YAMASHITA K
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MIYAZAKI S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名:
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻:
198/200
号:
Pt 2
ページ:
817-820
発行年:
1996年05月
JST資料番号:
D0642A
ISSN:
0022-3093
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)