文献
J-GLOBAL ID:200902143485607436
整理番号:00A0454254
GaAs基板からのInGaPの高速エピタキシャルリフト-オフ
High rate epitaxial lift-off of InGaP films from GaAs substrates.
著者 (7件):
SCHERMER J J
(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)
,
BAUHUIS G J
(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)
,
MULDER P
(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)
,
MEULEMEESTERS W J
(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)
,
HAVERKAMP E
(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)
,
VONCKEN M M A J
(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)
,
LARSEN P K
(Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
15
ページ:
2131-2133
発行年:
2000年04月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)