前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902143678169657
整理番号：99A0420079
高密度DRAM量産に適した表面の粗いSiと組み合わせた厚さ1.5nm酸化膜相当のTa2O5高誘電率誘電体
1.5nm Equivalent Thickness Ta2O5 High-k Dielectric with Rugged Si Suited for Mass Production of High Density DRAMs.
ASANO I
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KUNITOMO M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
UEMURA T
(Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWAGOE T
(Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWAMURA H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KISU T
(Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
IIJIMA S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TADAKI Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998 ページ： 755-758 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。