文献
J-GLOBAL ID:200902143685240677
整理番号:02A0016501
Si1-xGex/Siバーチャル基板上に成長させた歪Geチャネルp型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ
Strained Ge channel p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors grown on Si1-xGex/Si virtual substrates.
著者 (9件):
LEE M L
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
LEITZ C W
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
CHENG Z
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
PITERA A J
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
LANGDO T
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
CURRIE M T
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
TARASCHI G
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
FITZGERALD E A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
ANTONIADIS D A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
79
号:
20
ページ:
3344-3346
発行年:
2001年11月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)