文献
J-GLOBAL ID:200902143731923261
整理番号:99A0046873
低圧金属有機CVD法でa面サファイア基板上に製作したGaN系レーザダイオードの室温パルス動作
Room-Temperature Pulsed Operation of GaN-Based Laser Diodes on a-Face Sapphire Substrate Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
著者 (8件):
KIMURA Y
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
MIYACHI M
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
TANAKA T
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
NISHITSUKA M
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
WATANABE A
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
OTA H
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
,
CHIKUMA K
(Pioneer Electronic Corp., Saitama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
37
号:
10B
ページ:
L1231-L1233
発行年:
1998年10月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)