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文献
J-GLOBAL ID：200902143772419721
整理番号：00A0147202
超薄型ゲート絶縁膜上で仕事関数を制御したメタルゲート電極
Work Function Controlled Metal Gate Electrode on Ultrathin Gate Insulators.
NAKAJIMA K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
AKASAKA Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KANEKO M
(Toshiba Miroelectronics Corp., Yokohama, JPN)
,
TAMAOKI M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
YAMADA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SHIMIZU T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
OZAWA Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SUGURO K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1999 ページ： 95-96 発行年： 1999年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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