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文献
J-GLOBAL ID：200902143812301001
整理番号：93A0886230
MOSFETスケーリングにおける速度飽和領域の効果
Effects of the velocity-saturated region on mosfet scaling.
TAKEUCHI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
FUKUMA M
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1993 ページ： 37-38 発行年： 1993年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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