文献
J-GLOBAL ID:200902143957740992
整理番号:95A1000445
リモートプラズマ励起窒素・酸素を用いたシリコン窒化酸化膜の形成
Preperation of silicon oxynitride thin films by remote-plasma excited nitrogen and oxygen.
著者 (2件):
斎藤洋司
(成けい大 工)
,
河辺信宏
(成けい大 工)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
95
号:
317(SDM95 145-154)
ページ:
45-50
発行年:
1995年10月20日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)