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文献
J-GLOBAL ID：200902143960216820
整理番号：96A0366301
GaN中へのCaとOのイオン注入ドーピング
Ca and O ion implantation doping of GaN.
ZOLPER J C
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
WILSON R G
(Hughes Res. Lab., California)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
STALL R A
(EMCORE Corp., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 14 ページ： 1945-1947 発行年： 1996年04月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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