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文献
J-GLOBAL ID:200902143960216820   整理番号:96A0366301

GaN中へのCaとOのイオン注入ドーピング

Ca and O ion implantation doping of GaN.
著者 (4件):
ZOLPER J C
(Sandia National Lab., New Mexico)
WILSON R G
(Hughes Res. Lab., California)
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
STALL R A
(EMCORE Corp., New Jersey)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 68  号: 14  ページ: 1945-1947  発行年: 1996年04月01日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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