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文献
J-GLOBAL ID：200902143967376830
整理番号：00A0505305
高温での縮小SONOS不揮発性メモリデバイスの電荷保持
Charge retention of scaled SONOS nonvolatile memory devices at elevated temperatures.
YANG Y
(Cypress Semiconductor, CA, USA)
,
WHITE M H
(Lehigh Univ., PA, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 44 号： 6 ページ： 949-958 発行年： 2000年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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