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文献
J-GLOBAL ID：200902143972576503
整理番号：00A0932952
4H-と6H-SiCの酸化物-基板界面に対する酸化と再酸化の効果
Effect of oxidation and reoxidation on the oxide-substrate interface of 4H- and 6H-SiC.
JERNIGAN G G
(Naval Res. Lab., Washington DC)
,
STAHLBUSH R E
(Naval Res. Lab., Washington DC)
,
SAKS N S
(Naval Res. Lab., Washington DC)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 10 ページ： 1437-1439 発行年： 2000年09月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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