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文献
J-GLOBAL ID：200902144106233776
整理番号：99A0382886
InP上への狭いバンドギャップ(~0.6eV)のInGaAsN層の成長と特性評価
Growth and characterization of small band gap (~0.6eV) InGaAsN layers on InP.
GOKHALE M R
(Princeton Univ., New Jersey)
,
WEI J
(Princeton Univ., New Jersey)
,
WANG H
(Princeton Univ., New Jersey)
,
FORREST S R
(Princeton Univ., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 9 ページ： 1287-1289 発行年： 1999年03月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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