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文献
J-GLOBAL ID：200902144138797418
整理番号：96A0418008
昇華法と有機金属化学気相ホモエピタキシャル成長法による厚いGaNの成長と特性評価
Growth and Characterization of Thick GaN by Sublimation Method and Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
KURAI S
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
ABE T
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
NAOI Y
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
SAKAI S
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 3 ページ： 1637-1640 発行年： 1996年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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