文献
J-GLOBAL ID:200902144138797418
整理番号:96A0418008
昇華法と有機金属化学気相ホモエピタキシャル成長法による厚いGaNの成長と特性評価
Growth and Characterization of Thick GaN by Sublimation Method and Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
著者 (4件):
KURAI S
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
ABE T
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
NAOI Y
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
SAKAI S
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
35
号:
3
ページ:
1637-1640
発行年:
1996年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)