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文献
J-GLOBAL ID:200902144138797418   整理番号:96A0418008

昇華法と有機金属化学気相ホモエピタキシャル成長法による厚いGaNの成長と特性評価

Growth and Characterization of Thick GaN by Sublimation Method and Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
著者 (4件):
KURAI S
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
ABE T
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
NAOI Y
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
SAKAI S
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 35  号:ページ: 1637-1640  発行年: 1996年03月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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