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文献
J-GLOBAL ID：200902144148998985
整理番号：02A0272773
0.1μmの幅のエミッタのInP/GaInAs二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタの作製
Fabrication of InP/GaInAs Double Heterojunction Bipolar Transistors with a 0.1-μm-Wide Emitter.
MORITA T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ARAI T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NAGATSUKA H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Y
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
FURUYA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 2A ページ： L121-L123 発行年： 2002年02月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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