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文献
J-GLOBAL ID：200902144203743339
整理番号：02A0642870
高κゲートスタックのリモート電荷散乱によって低下した有効電子移動度
Effective Electron Mobility Reduced by Remote Charge Scattering in High-κ Gate Stacks.
HIRATANI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SAITO S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SHIMAMOTO Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TORII K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 7A ページ： 4521-4522 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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