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文献
J-GLOBAL ID：200902144280628674
整理番号：98A0527389
Schottkyソース/ドレイン接触を使ったSOI MOSFETの漂遊体効果の低減
Reduction of the Floating Body Effect in SOI MOSFETs by Using Schottky Source/Drain Contacts.
NISHISAKA M
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
ASANO T
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 3B ページ： 1295-1299 発行年： 1998年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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