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文献
J-GLOBAL ID：200902144284813190
整理番号：95A0282143
物理気相輸送によって成長させた半絶縁性6H-SiC
Semi-insulating 6H-SiC grown by physical vapor transport.
HOBGOOD H M
(Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania)
,
GLASS R C
(Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania)
,
AUGUSTINE G
(Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania)
,
HIPKINS R H
(Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania)
,
JENNY J
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
,
SKOWRONSKI M
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
,
MITCHEL W C
(Wright Lab., Ohio)
,
ROTH M
(Wright Lab., Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 11 ページ： 1364-1366 発行年： 1995年03月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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