文献
J-GLOBAL ID:200902144327515962
整理番号:02A0622611
GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性
Growth of GaN/AlN Quantum Wells and Characteristics of Intersubband Transition.
著者 (3件):
飯塚紀夫
(東芝 研開セ)
,
金子桂
(東芝 研開セ)
,
鈴木信夫
(東芝 研開セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
102
号:
116(ED2002 96-115)
ページ:
21-24
発行年:
2002年06月15日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)